Проект выпускника ТУСУРа вошёл в число победителей конкурса «ТехноСтарт-1»

Фондом содействия инновациям подведены итоги конкурсных отборов по программе «ТехноСтарт-1». Среди победителей — компания выпускника Томского госуниверситета систем управления и радиоэлектроники.

Фондом содействия инновациям подведены итоги конкурсных отборов по программе «ТехноСтарт-1». Среди победителей — компания выпускника Томского госуниверситета систем управления и радиоэлектроники.

Проект выпускника ТУСУРа Нурлана Усубалиева вошёл в число победителей конкурса проектов «ТехноСтарт-1». Компания «Соленна» (резидент технопарка новосибирского Академгородка, резидент Сколково), генеральным директором которой он является, выполнит проект «Разработка, изготовление и испытания прототипов электронных детекторов сигналов с частотой модуляции не менее 1 ТГц и экспериментальной лазерной технологической установки для их изготовления». Размер гранта — 15 миллионов рублей.

По словам Нурлана Усубалиева, целью выполнения НИОКР, рассчитанной на 1,5 года, является разработка, изготовление и испытания прототипов электронных детекторов сигналов с частотой модуляции не менее 1 ТГц на принципах использования сверхбыстродействующих неохлаждаемых диодов Шоттки и/или туннельных МДМ-диодов с площадью барьера не более 50×50 нм и низкотемпературной технологии аддитивного формирования этих диодных структур методами ALD/CVD с лазерной импульсной локальной активацией.

Потенциальными сферами применения таких детекторов являются в числе прочих:

• приёмопередатчики для беспроводных (в том числе воздушных, космических, LiFi) и оптоволоконных каналов передачи информации,
• системы мобильной связи 5G, 6G и далее,
• лидары/радары на принципах АФАР для беспилотных и роботизированных подвижных платформ,
• приёмопередатчики на основе оптических наноантенн как функциональных элементов для беспроводных сетей-на-кристалле и сетей-в-корпусе.

Соисполнителем проекта выступит тусуровский ЦКП «Импульс». В работу над проектом будут включены технологический сектор прототипирования и изготовления ВЧ- и СВЧ-элементов, а также сектор измерений СВЧ-устройств. В частности на базе технологического оборудования НОЦ «Нанотехнологии» будет проводиться разработка технологии GaAs и Si СВЧ pin диодов.